Touch-Down Technology Co., Ltd - Touch-Down est un fabricant professionnel de céramiques fines.

Quartz (SiO₂) appliqué au produit céramiqueEt composants | Fabricant de pièces et composants céramiques avancés depuis plus de 30 ans | Touch-Down Technology Co., Ltd.

Touch-Down est un fabricant de céramiques de précision en carbure de silicium, en oxyde d'aluminium, en oxyde de zirconium, en oxyde d'aluminium 995, en oxyde d'aluminium 997, en céramiques de précision, en céramiques avancées, en céramiques structurelles, en pièces céramiques de précision et en céramiques usinables à Taiwan depuis 1997. Touch-Down est un fabricant de pièces en céramique compactes et de haute précision, spécialisé dans la fabrication de céramiques fines / céramiques avancées / céramiques spéciales intégrant la production et la vente, de la préparation des matières premières, du moulage, du meulage plan, de l'usinage abrasif des diamètres intérieurs et extérieurs jusqu'au traitement numérique de l'équipage de forage NC. Au cours des deux dernières décennies, elle a fourni des produits et des services pour la fabrication et le traitement de pièces en céramique fine, en oxyde d'aluminium, en oxyde de zirconium, en quartz et en carbure de silicium, en ce qui concerne le traitement des semi-conducteurs, le traitement des LED, le traitement des TFT / LCD, le traitement des puces solaires, la production de machines, l'industrie médicale et pharmaceutique, ainsi que la défense nationale et militaire.

Quartz (SiO₂) appliqué au produit céramique | Composants en céramique fine pour les industries scientifiques, spatiales et des semi-conducteurs | Touch-Down Technology Co., Ltd.

Quartz de semi-conducteur / Touch-Down est un fabricant de pièces en céramique compactes et de haute précision, spécialisé dans la fabrication de céramiques fines / céramiques avancées / céramiques spéciales intégrant la production et la vente, de la préparation des matières premières, du moulage, du meulage plan, de l'usinage abrasif des diamètres intérieurs et extérieurs jusqu'au traitement numérique de l'équipage de forage NC.

Quartz de semi-conducteur

Quartz (SiO₂) appliqué au produit céramique

Le quartz est une sorte de verre, comme son nom l'indique, mais ce qui le différencie, c'est que le verre ordinaire est composé de nombreux composants, tandis que le quartz est composé uniquement de SiO₂. Étant donné que le quartz contient très peu d'impuretés métalliques, seulement jusqu'à 10 ppm (un cent millième), l'état minimum est généralement de seulement 10 ppb (un milliardième) ou moins et en raison de sa grande pureté, le quartz présente des caractéristiques et des avantages que les autres verres ne peuvent pas présenter.

Le matériau Quartz (SiO₂) présente un coefficient de dilatation thermique extrêmement faible, une résistance élevée à la température, une résistance élevée à l'abrasion, une bonne stabilité chimique, une isolation électrique, une rétardation faible et stable, une transmittance élevée de la lumière visible des rayons ultraviolets (infrarouges), ainsi que des propriétés mécaniques élevées, et bien plus encore.
 
Par conséquent, les matériaux de quartz de haute pureté sont largement utilisés dans la technologie électronique moderne, les semi-conducteurs, les télécommunications, les sources lumineuses électriques, l'énergie solaire, les instruments de mesure de haute précision de défense nationale, les instruments de physique et de chimie de laboratoire, l'énergie nucléaire, les nano-industries.
 
Applications des semi-conducteurs
Dans le processus de fabrication des semi-conducteurs, les principaux matériaux en quartz sont utilisés pour le four à tube en quartz, le bateau en quartz, l'anneau en quartz, le réservoir en quartz, les fenêtres, l'équipement de traitement et autres composants en quartz associés.
Le traitement du quartz comprend : le meulage de surface, le polissage, la découpe cylindrique, la découpe, le traitement des rainures, le traitement des courbes, le traitement des formes spéciales, le perçage de trous ultra-fins, le revêtement de film.

Caractéristiques du quartz

1. Pénétration facile de la lumière
La pénétration facile de la lumière du quartz ne s'applique pas seulement à la lumière visible. Les longueurs d'onde de la lumière, allant de l'ultraviolet à l'infrarouge, présentent également une bonne pénétration.
2. Haute pureté
Étant composé uniquement de SiO₂, il ne contient que des traces d'impuretés métalliques.
3. Résistance à la chaleur
Avec un point de ramollissement d'environ 1700°C, il peut être utilisé à une température élevée de 1000°C. Le coefficient de dilatation thermique est faible, ce qui lui permet de résister aux changements de température importants.
4. Résistance à l'érosion par les produits chimiques
Il présente des propriétés chimiques très stables avec une excellente résistance chimique.

Tableau des caractéristiques du matériau en quartz
1. Analyse de la teneur en impuretés du matériau (teneur en SIO₂ : ≥ 99,995%)
Fe Mg Mn K Li Co Ni Cu Na B Ti Ca Al
1.2 0.4 0.1 2.0 0.5 < 0.02 0.03 0.57 2.3 0,8 0.1 0,8 16
2. Test optique : Valeurs de l'indice de réfraction et de la dispersion (na = 1,45845)
Catégorie 20°C UV IR Lumière visible
Valeur de Na 1.4586 ± 4 x 10-4 1,5341 - 1,4942 1,4251 - 1,47451 1,4698 - 1,45413
Mean dispersion and dispersion coefficient / Nf-Nc=0.00674 ±3 x 10-4 / Dispersion coefficient Y= 680
3. Test thermique
Coefficient de dilatation thermique Température °C 100 300 500 700 900 1100
Thermal Expansion Coefficient x 10-7 5.11 5.92 5.65 5.73 5.52 5.48
Conduction thermique W/m°C Température °C 20 100 200 300 400 950
Coefficient de conduction thermique 1.38 1.47 1.55 1.67 1.84 2.68
Taux d'énergie thermique J/Kg°C Température °C 20 100 500 900
Taux d'énergie thermique 690 772 964 1052
4. Test d'électricité
Performances électriques Constante diélectrique (E) 20°C 23°C 28°C
3.7 3.77 3.81
(Tgδ) 1 kHz 1-1000 MHz 3 x 10-4MHz
0.0005 0.0001 0.0004
Facteur de résistivité
(Ω cm)		 20°C 400°C 800°C 1200°C
1016 1010 6.3 x 106 1.3 x 105
5. Réaction des matériaux et des oxydes
AIO₃ MgO CaO ZnO Fe-Oxyde CuO BaO Oxyde-Basique PbO
> 1200°C > 950°C > 1000°C > 800°C > 950°C > 950°C > 900°C > 800°C État de fusion
6. Propriétés mécaniques
Densité 2,21 g/cm³ Résistance à la compression 6000N/mm²
160000psi		 Résistance à l'extension 50 N/mm² Force de couple 30 N/mm²
Dureté de Mohs 5,5 - 6,5 N/mm² Coefficient de couple 3.1 x 104 N/mm² Résistance à la flexion 67 N/mm² Vitesse du son 5720m x s
7. Changements de température

Point de déformation : 1000 - 1125°C
Utilisation à long terme : en dessous de 1100°C
Point de recuit : 1180°C
Utilisation à court terme : 1450°C
Point de ramollissement : 1600 - 1710°C
Fusion : 1730°C

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