Cuarzo (SiO₂) aplicado a productos cerámicos | Componentes de cerámica fina para las industrias de ciencia, espacio y semiconductores | Touch-Down Technology Co., Ltd.

Cuarzo semiconductor / Touch-Down es un fabricante de piezas cerámicas compactas y de alta precisión, especializado en la fabricación de cerámicas finas / cerámicas avanzadas / cerámicas especiales que integra la producción y venta desde la preparación de materiales, moldeo, rectificado plano, mecanizado abrasivo de diámetros internos y externos hasta el procesamiento digital de la tripulación de perforación NC.

Cuarzo semiconductor

Cuarzo (SiO₂) aplicado a productos cerámicos

El cuarzo es un tipo de vidrio, como su nombre indica, pero lo que lo diferencia es que el vidrio común está compuesto por muchos componentes, mientras que el cuarzo solo está compuesto por SiO₂. Debido a que el cuarzo contiene una cantidad muy pequeña de impurezas metálicas, solo hasta 10 ppm (una centésima de milésima), el estado mínimo suele ser de solo 10 ppb (una billonésima) o menos, y debido a su alta pureza, el cuarzo presenta características y ventajas que otros vidrios no pueden presentar.


El material de cuarzo (SiO₂) presenta un coeficiente de expansión térmica extremadamente bajo, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la abrasión, buena estabilidad química, aislamiento eléctrico, retardación baja y estable, transmisión de luz visible de rayos ultravioleta (infrarrojos) cercanos, y altas propiedades mecánicas, entre otras.
 
Por lo tanto, los materiales de cuarzo de alta pureza se utilizan ampliamente en la tecnología electrónica moderna, semiconductores, telecomunicaciones, fuentes de luz eléctrica, energía solar, instrumentos de medición de alta precisión de defensa nacional, instrumentos de física y química de laboratorio, energía nuclear, nanoindustrias.
 
Aplicaciones de semiconductores
En el proceso de fabricación de semiconductores, los principales materiales de cuarzo se utilizan para el horno de tubo de cuarzo, barco de cuarzo, anillo de cuarzo, tanque de cuarzo, ventanas, equipos de proceso y otros componentes de cuarzo relacionados.
El procesamiento de cuarzo incluye: rectificado de superficie, pulido, corte de cilindro, corte, procesamiento de ranuras, procesamiento de curvas, procesamiento de formas especiales, perforación de agujeros ultrafinos, recubrimiento de películas.

Características del cuarzo

1. Fácil penetración de la luz
La fácil penetración de la luz en el cuarzo no solo se aplica a la luz visible. La luz de longitud de onda que va desde la luz ultravioleta hasta la luz infrarroja también presenta una buena penetración.
2. Alta pureza
Al estar compuesto solo por SiO₂, contiene solo cantidades mínimas de impurezas metálicas.
3. Resistencia al calor
Con un punto de ablandamiento de aproximadamente 1700°C, se puede utilizar a una alta temperatura de 1000°C. El coeficiente de expansión térmica es pequeño, lo que le permite resistir cambios de temperatura drásticos.
4. Resistencia a la erosión de medicamentos
Presenta propiedades químicas bastante estables con una excelente resistencia química.

Tabla de características del material de cuarzo
1. Análisis del contenido de impurezas del material (contenido de SIO₂: ≥ 99.995%)
FeMgMnKLiCoNiCuNaBTiCaAl
1.20.40.12.00.5< 0.020.030.572.30.80.10.816
2. Prueba óptica: valores de índice de refracción y dispersión (na = 1.45845)
Categoría20°CUVIRLuz visible
Valor de Na1.4586 ± 4 x 10-41.5341 - 1.49421.4251 - 1.474511.4698 - 1.45413
Mean dispersion and dispersion coefficient / Nf-Nc=0.00674 ±3 x 10-4 / Dispersion coefficient Y= 680
3. Prueba térmica
Coeficiente de expansión térmicaTemperatura °C1003005007009001100
Thermal Expansion Coefficient x 10-75.115.925.655.735.525.48
Conducción de calor W/m°CTemperatura °C20100200300400950
Coeficiente de conducción de calor1.381.471.551.671.842.68
Tasa de energía térmica J/Kg°CTemperatura °C20100500900
Tasa de energía térmica6907729641052
4. Prueba de Electricidad
Rendimiento de ElectricidadConstante Dieléctrica (E)20°C23°C28°C
3.73.773.81
(Tgδ)1 kHz1-1000 MHz3 x 10-4MHz
0.00050.00010.0004
Factor de resistividad
(Ω cm)
20°C400°C800°C1200°C
101610106.3 x 1061.3 x 105
5. Reacción de Material y Óxido
AIO₃MgOCaOZnOÓxido de FeCuOBaOÓxido BásicoPbO
> 1200°C> 950°C> 1000°C> 800°C> 950°C> 950°C> 900°C> 800°CEstado de fusión
6. Propiedades mecánicas
Densidad2.21 g/cm³Fuerza de compresión6000N/mm²
160000psi
Fuerza de extensión50 N/mm²Fuerza de torsión30 N/mm²
Dureza de Mohs5.5 - 6.5 N/mm²Coeficiente de torsión3.1 x 104 N/mm²Resistencia a la flexión67 N/mm²Velocidad del sonido5720m x s
7. Cambios de temperatura

Punto de deformación: 1000 - 1125°C
Uso a largo plazo: por debajo de 1100°C
Punto de recocido: 1180°C
Uso a corto plazo: 1450°C
Punto de ablandamiento: 1600 - 1710°C
Fusión: 1730°C

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