Quarzo (SiO₂) applicato al prodotto ceramico | Componenti in ceramica avanzata per l'industria scientifica, spaziale e dei semiconduttori | Touch-Down Technology Co., Ltd.

Quarzo semiconduttore / Touch-Down è un produttore compatto di parti in ceramica ad alta precisione, specializzato nella produzione di ceramiche di alta qualità / ceramiche avanzate / ceramiche speciali che integrano produzione e vendita dalla preparazione delle materie prime, stampaggio, rettifica piana, lavorazione abrasiva di diametri interni ed esterni fino alla lavorazione digitale della squadra di foratura NC.

Quarzo semiconduttore

Quarzo (SiO₂) applicato al prodotto ceramico

Il quarzo è un tipo di vetro come suggerisce il nome, ma ciò che lo rende diverso è che il vetro comune è composto da molti componenti, mentre il quarzo è composto solo da SiO₂. Poiché il quarzo contiene una quantità molto ridotta di impurità metalliche, solo fino a 10 ppm (un centomillesimo), lo stato minimo è di solito solo 10 ppb (un miliardesimo) o meno e a causa della sua elevata purezza, il quarzo stesso presenta caratteristiche e vantaggi che altri vetri non possono presentare.


Il materiale di quarzo (SiO₂) presenta un coefficiente di dilatazione termica estremamente basso, resistenza alle alte temperature, resistenza all'abrasione, buona stabilità chimica, isolamento elettrico, ritardo basso e stabile, trasmissione della luce visibile ai raggi ultravioletti (infrarossi) vicini, alte proprietà meccaniche e così via.
 
Pertanto, i materiali di quarzo ad alta purezza sono ampiamente utilizzati nella tecnologia elettronica moderna, nei semiconduttori, nelle telecomunicazioni, nelle fonti di luce elettrica, nell'energia solare, negli strumenti di misurazione ad alta precisione per la difesa nazionale, nei laboratori di fisica e chimica, nell'energia nucleare e nelle nano-industrie.
 
Applicazioni dei semiconduttori
Nel processo di produzione dei semiconduttori, i principali materiali in quarzo vengono utilizzati per la fornace a tubo di quarzo, la barca di quarzo, l'anello di quarzo, il serbatoio di quarzo, le finestre, l'attrezzatura di processo e altri componenti in quarzo correlati.
La lavorazione del quarzo include: rettifica superficiale, lucidatura, taglio cilindrico, taglio, lavorazione delle scanalature, lavorazione delle curve, lavorazione sagomata, foratura di fori ultrafini, rivestimento di film.

Caratteristiche del quarzo

1. Facile penetrazione della luce
La facile penetrazione della luce nel quarzo non si applica solo alla luce visibile. Anche la luce a lunghezza d'onda che va dall'ultravioletto alla luce infrarossa presenta una buona penetrazione.
2. Alta purezza
Essendo composto solo da SiO₂, contiene solo tracce di impurità metalliche.
3. Resistenza al calore
Con un punto di ammorbidimento di circa 1700°C, può essere utilizzato a temperature elevate fino a 1000°C. Il coefficiente di dilatazione termica è piccolo, il che consente di resistere a cambiamenti di temperatura drastici.
4. Resistenza all'erosione da sostanze chimiche
Presenta proprietà chimiche molto stabili con un'eccellente resistenza chimica.

Tabella delle caratteristiche del materiale in quarzo
1. Analisi del contenuto di impurità del materiale (contenuto di SIO₂: ≥ 99,995%)
FeMgMnKLiCoNiCuNaBTiCaAl
1.20.40.12.00.5< 0.020.030.572.30.80.10.816
2. Test ottico: valori di indice di rifrazione e dispersione (na = 1.45845)
Categoria20°CUVIRLuce visibile
Valore di Na1.4586 ± 4 x 10-41.5341 - 1.49421.4251 - 1.474511.4698 - 1.45413
Mean dispersion and dispersion coefficient / Nf-Nc=0.00674 ±3 x 10-4 / Dispersion coefficient Y= 680
3. Test Termico
Coefficiente di Espansione TermicaTemperatura °C1003005007009001100
Thermal Expansion Coefficient x 10-75.115.925.655.735.525.48
Conduzione del calore W/m°CTemperatura °C20100200300400950
Coefficiente di conduzione termica1.381.471.551.671.842.68
Tasso di energia termica J/Kg°CTemperatura °C20100500900
Tasso di energia termica6907729641052
4. Test di elettricità
Prestazioni elettricheCostante dielettrica (E)20°C23°C28°C
3.73.773.81
(Tgδ)1 kHz1-1000 MHz3 x 10-4MHz
0.00050.00010.0004
Fattore di resistività
(Ω cm)
20°C400°C800°C1200°C
101610106.3 x 1061.3 x 105
5. Reazione del Materiale e dell'Ossido
AIO₃MgOCaOZnOFe-OssidoCuOBaOOssido-BasicoPbO
> 1200°C> 950°C> 1000°C> 800°C> 950°C> 950°C> 900°C> 800°CStato di fusione
6. Proprietà meccaniche
Densità2.21 g/cm³Forza di compressione6000N/mm²
160000psi
Forza di estensione50 N/mm²Forza di torsione30 N/mm²
Durezza di Mohs5.5 - 6.5 N/mm²Coefficiente di torsione3.1 x 104 N/mm²Resistenza alla flessione67 N/mm²Velocità del suono5720m x s
7. Variazioni di temperatura

Punto di rottura: 1000 - 1125°C
Utilizzo a lungo termine: al di sotto di 1100°C
Punto di ricottura: 1180°C
Utilizzo a breve termine: 1450°C
Punto di ammorbidimento: 1600 - 1710°C
Fusione: 1730°C

Galleria